美國眾議院議長裴洛西（中）與眾議員合影慶祝《晶片和科學法案》過關。 翻攝US Rep Darren Soto臉書
（王秋燕／綜合報導）美國國會趕在8月休會前通過《晶片和科學法案》，緊接著讓總統拜登簽署，成為眾議院議長裴洛西2日訪台時帶來最有誠意的禮物，裴洛西訪台還與台積電董事長劉德音、台積電創辦人張忠謀會面，更凸顯出台灣半導體與民主自由相等重要的價值。
《晶片和科學法案》（CHIPS and Science Act，簡稱晶片法案）總規模高達2800億美元，當中有520億美元補貼在美國半導體生產經費，並為投資晶片廠提供估計價值達240億美元的稅收減免。
不過，顧問公司貝恩（Bain）半導體製造專家漢伯立（Peter Hanbury）接受《日經亞洲》時說：「重建半導體生態系統是非常昂貴的，《晶片和科學法案》的520 億美元補助款不可能足夠的。」貝恩估計，美國晶片產能提高 5～10% 就需要約 400 億美元，未來10年的新技術開發耗資將更高，將達到 1100 億美元。
然而，在美國蓋廠成本高，包括英特爾（Intel）、台積電、環球晶、三星電子(Samsung)當然會希望爭取到補助款，但因為這些廠商都有在中國投資，也將受限於《晶片和科學法案》附加條款規定，接受補貼款的業者於10年內不准在中國擴大投資晶片生產規模。
台灣經濟研究院產經資料庫研究員暨總監劉佩真接受 《菱傳媒》訪問時說：「附加條款就是要希望半導體廠商選邊站，慎防中國半導體供應鏈崛起，鞏固美國在全球半導體的領導地位。台積電在美國比較是象徵性投資，亞利桑那州5奈米廠月產能才約2萬片，台灣產能還是最主要的，性價比也高。」
她進一步分析，由於過去幾年兩岸政經情勢緊張，台灣業者並未到中國大舉新建廠房，僅台積電2021年加碼南京廠28.9億美元，擴增28奈米產能。台廠在中國產能建置，在整體營收或獲利的占比也都是極低比例，即便美國設下限制，預期短期對台廠影響不大，預期未來台廠在中國廠房布建也將處於比較停滯的狀況。
劉佩真說，台灣半導體廠最大生產據點在台灣，占比高達9成，未來沒持續到中國等海外擴產，也不影響台灣在先進製程或矽晶圓的高度競爭力。劉佩真認為，相較於台廠，韓國業者會受比較大的影響，尤其是三星電子，三星2012年起到中國投資總金額達258億美元，在陝西省西安的儲存型快閃記憶體（NAND Flash）廠，占整個三星NAND Flash總產能的42.3%。劉佩真指出，三星未來若無法持續擴充西安廠產能或導入更先進的製程，對NAND Flash事業勢必會造成一定程度的影響。
新美國安全中心智庫（Center for a New American Security）資深研究員拉瑟（Martijn Rasser）接受《日經亞洲》訪問時說：「 《晶片和科學法案》的附加條款限制突顯出，美國當局越來越擔心美國資金會被運用幫中國建立半導體能力上，而這將使大型半導體業者對海外投資有更嚴厲的考量。」
