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新聞眼/過關晶片法案讓裴洛西訪台有面子 台廠沒在怕赴中投資限制

美國眾議院議長裴洛西(中)與眾議員合影慶祝《晶片和科學法案》過關。 翻攝US Rep Darren Soto臉書

(王秋燕/綜合報導)美國國會趕在8月休會前通過《晶片和科學法案》,緊接著讓總統拜登簽署,成為眾議院議長裴洛西2日訪台時帶來最有誠意的禮物,裴洛西訪台還與台積電董事長劉德音、台積電創辦人張忠謀會面,更凸顯出台灣半導體與民主自由相等重要的價值。

《晶片和科學法案》(CHIPS and Science Act,簡稱晶片法案)總規模高達2800億美元,當中有520億美元補貼在美國半導體生產經費,並為投資晶片廠提供估計價值達240億美元的稅收減免。


不過,顧問公司貝恩(Bain)半導體製造專家漢伯立(Peter Hanbury)接受《日經亞洲評論》時說:「重建半導體生態系統是非常昂貴的,《晶片和科學法案》的520 億美元補助款不可能足夠的。」貝恩估計,美國晶片產能提高 5~10% 就需要約 400 億美元,未來10年的新技術開發耗資將更高,將達到 1100 億美元。


然而,在美國蓋廠成本高,包括英特爾(Intel)、台積電、環球晶、三星電子(Samsung)當然會希望爭取到補助款,但因為這些廠商都有在中國投資,也將受限於《晶片和科學法案》附加條款規定,接受補貼款的業者於10年內不准在中國擴大投資晶片生產規模。


台灣經濟研究院產經資料庫研究員暨總監劉佩真接受 《菱傳媒》訪問時說:「附加條款就是要希望半導體廠商選邊站,慎防中國半導體供應鏈崛起,鞏固美國在全球半導體的領導地位。台積電在美國比較是象徵性投資,亞利桑那州5奈米廠月產能才約2萬片,台灣產能還是最主要的,性價比也高。」


她進一步分析,由於過去幾年兩岸政經情勢緊張,台灣業者並未到中國大舉新建廠房,僅台積電2021年加碼南京廠28.9億美元,擴增28奈米產能。台廠在中國產能建置,在整體營收或獲利的占比也都是極低比例,即便美國設下限制,預期短期對台廠影響不大,預期未來台廠在中國廠房布建也將處於比較停滯的狀況。


劉佩真說,台灣半導體廠最大生產據點在台灣,占比高達9成,未來沒持續到中國等海外擴產,也不影響台灣在先進製程或矽晶圓的高度競爭力。劉佩真認為,相較於台廠,韓國業者會受比較大的影響,尤其是三星電子,三星2012年起到中國投資總金額達258億美元,在陝西省西安的儲存型快閃記憶體(NAND Flash)廠,占整個三星NAND Flash總產能的42.3%。劉佩真指出,三星未來若無法持續擴充西安廠產能或導入更先進的製程,對NAND Flash事業勢必會造成一定程度的影響。


新美國安全中心智庫(Center for a New American Security)資深研究員拉瑟(Martijn Rasser)接受《日經亞洲評論》訪問時說:「 《晶片和科學法案》的附加條款限制突顯出,美國當局越來越擔心美國資金會被運用幫中國建立半導體能力上,而這將使大型半導體業者對海外投資有更嚴厲的考量。」

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